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产品参考图片
FQD13N10LTM 图片
FQD13N10LTM
  • 制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
  • 类别封装:单端场效应管,TO-252-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FQD13N10LTM
  • 制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  • 系列:QFET
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):180 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):520pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:TO-252-3
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