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FDN86501LZ
制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
类别封装:FET - 单,TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
技术参数:MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3
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技术参数详情:
制造商产品型号: FDN86501LZ制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3系列: PowerTrenchFET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能: 标准漏源极电压(Vdss): 60V电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 2.6A(Ta)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 116 毫欧 @ 2.6A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 5.4nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 335pF @ 30V功率 - 最大值: 600mW安装类型: 表面贴装产品封装: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装: SuperSOT-3现在可以订购FDN86501LZ,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。