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仙童(Fairchild)
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产品参考图片
FDMD85100 图片
FDMD85100
  • 制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
  • 类别封装:FET - 阵列,8-PowerWDFN
  • 技术参数:MOSFET 2N-CH 100V
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号: FDMD85100
  • 制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)
  • 功能总体简述: MOSFET 2N-CH 100V
  • 系列: PowerTrench
  • FET 类型: 2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 100V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 10.4A
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 9.9m? @ 10.4A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 31nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2230pF @ 50V
  • 功率 - 最大值: 2.2W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: 8-PowerWDFN
  • 供应商器件封装: 8-PQFN(5x6)
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