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仙童(Fairchild)
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产品参考图片
FDD850N10LD 图片
FDD850N10LD
  • 制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
  • 类别封装:单端场效应管,TO-252-5
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FDD850N10LD
  • 制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15.7A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):75 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28.9nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1465pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:50W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
  • 供应商器件封装:TO-252-5
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