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仙童(Fairchild)
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产品参考图片
FDC6506P 图片
FDC6506P
  • 制造厂商:仙童半导体(Fairchild)
  • 类别封装:场效应管阵列,6-SSOT
  • 技术参数:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
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    全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,仙童(Fairchild)授权中国代理商
    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FDC6506P
  • 制造商:仙童半导体 Fairchild (已被安森美ONSEMI收购)
  • 描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
  • 系列:PowerTrench
  • FET 类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.8A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):170 毫欧 @ 1.8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):190pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:700mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
  • 供应商器件封装:6-SSOT
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