图片信息






基本参数:
参数详情:
制造商零件编号:FQI15P12TU
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 120V 15A I2PAK
系列:QFET
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):120V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):15A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):200 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):38nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 25V
功率 - 最大值:3.75W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
供应商器件封装:I2PAK

相关型号

I2PAK

I2PAK

I2PAK

I2PAK

RF晶体管

锁销逻辑芯片

线性稳压器芯片

缓冲器,驱动器,接收器,收发器芯片