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仙童半导体(Fairchild)产品型号:FQI12N60TU - 单端场效应管 - I2PAK
图片信息
FQI12N60TU封装图片
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基本参数:
  • 制造商:Fairchild(中文名:仙童半导体)
  • 出厂封装:I2PAK
  • 功能类别:单端场效应管
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  • 参数详情:

    制造商零件编号:FQI12N60TU
    制造商:Fairchild Semiconductor
    描述:MOSFET N-CH 600V 10.5A I2PAK
    系列:QFET
    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能:标准
    漏源极电压 (Vdss):600V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10.5A(Tc)
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):700 毫欧 @ 5.3A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):54nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1900pF @ 25V
    功率 - 最大值:3.13W
    安装类型:通孔
    封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
    供应商器件封装:I2PAK

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