制造商零件编号：FQI10N60CTU
制造商：Fairchild Semiconductor
描述：MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
系列：QFET
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9.5A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：730 毫欧 @ 4.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2040pF @ 25V
功率 - 最大值：3.13W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK