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基本参数:
参数详情:
制造商零件编号:FQI10N60CTU
制造商:Fairchild Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
系列:QFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):730 毫欧 @ 4.75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):57nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2040pF @ 25V
功率 - 最大值:3.13W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
供应商器件封装:I2PAK

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