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仙童半导体(Fairchild)产品型号:FQD1N60CTM - 单端场效应管 - TO-252-3
图片信息
FQD1N60CTM封装图片
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基本参数:
  • 制造商:Fairchild(中文名:仙童半导体)
  • 出厂封装:TO-252-3
  • 功能类别:单端场效应管
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  • 参数详情:

    制造商零件编号:FQD1N60CTM
    制造商:Fairchild Semiconductor
    描述:MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
    系列:QFET
    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能:标准
    漏源极电压 (Vdss):600V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1A(Tc)
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):11.5 欧姆 @ 500mA,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.2nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):170pF @ 25V
    功率 - 最大值:2.5W
    安装类型:表面贴装
    封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
    供应商器件封装:TO-252-3

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